下面簡單介紹管式爐適用的工藝：
擴(kuò)散工藝的主要用途是在高溫條件下對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行摻雜，即將元素磷、硼擴(kuò)散入硅片，從而改變和控制半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)的類型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區(qū)域。)
常用的低壓磷擴(kuò)散利用低壓氛圍可以得到更好的方塊電阻均勻性和更大的生產(chǎn)批量，同時對環(huán)境的影響最小
二、氧化工藝是使硅片表面在高溫下與氧化劑發(fā)生反應(yīng)，生長一層二氧化硅膜。氧化方法有干氧和濕氧，濕氧包括水汽氧化和氫氧合成兩種，對硅片或器件起保護(hù)、鈍化、絕緣、緩沖介質(zhì)等作用。
三、退火工藝包含雜質(zhì)退火（氧化層退火、注入后退火等等）和金屬退火，雜質(zhì)退火兩個目的，修復(fù)晶格激活雜質(zhì)元素，工藝溫度比較高；金屬退火比較復(fù)雜，主要目的是解決金屬與物質(zhì)的接觸和填充問題，每種退火的原理與適用材料也有所區(qū)別。
四、合金工藝主要是形成歐姆接觸或者形成鍵合區(qū)。
五、燒結(jié)工藝主要應(yīng)用于電真空、航空航天、電力電子、機(jī)械加工；可對不銹鋼、無氧銅、金屬化陶瓷件等不同零件進(jìn)行無氧化釬焊、退火、燒結(jié)及對薄膜、厚膜電路、混膜集成電路等在氫氣、氮氣或氫氮混合氣體的保護(hù)下， 對工件進(jìn)行焊接， 封裝和燒結(jié)等。
擴(kuò)散爐是光伏與半導(dǎo)體集成電路工藝的基礎(chǔ)設(shè)備，它與光伏、半導(dǎo)體工藝互相依存、互相促進(jìn)、共同發(fā)展。
